岗位职责:
1、负责氮化镓半导体HEMT器件工艺研发,包括样品表面清洁,光刻,刻蚀,蒸金属,退火,PECVD, ICP, RIE,减薄划片,过孔,背面蒸镀等工序的优化,
2、氮化镓HEMT器件新工艺新产品研发,开发及导入,与外延部、生产部合作改善,提高产品性能和成品率;
3、负责生产中出现的重大工艺问题的攻关组织工作,参与质量改进的分析和实施;
4、收集和记录实验数据,并进行分析,提交实验报告和相关技术文档;
任职要求:
1、本科以上学历,物理,化学,材料,机械,电子,微电子及相关专业;
2、博士学历优先,接受应届博士生,入职签约有重奖;
3、三年以上氮化镓半导体净化室的工艺制造工作经验,熟悉氮化镓半导体器件制造相关工艺流程和原理;
4、具有创造性思维能力和很强的工作协调能力,并积极地发现问题解决问题;
5、有氮化镓HEMT器件工艺制造经验者优先;
6、具有高度的责任心、很强的团队意识、创新意识,具有良好的抗压能力、学习能力、沟通能力和表达能力。
7、诚实正直,善于思考,做事严谨,勇于承担责任
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