岗位职责：
1、负责氮化镓半导体HEMT器件设计，包括器件结构设计，版图设计，掩模版设计；
2、负责氮化镓HEMT新产品研发，包括新产品结构设计，模型设计；
3、参与研发部的研发任务与工艺改进的分析和实施；
4、参与研发项目的可行性分析与报告提交；
任职要求：
1、本科以上学历，物理，化学，材料，机械，电子，微电子及相关专业；
2、熟悉氮化镓半导体器件制造相关工艺流程和原理；
3、具有创造性思维能力和工作协调能力，并积极地发现问题解决问题；
4、有氮化镓HEMT器件设计经验者优先；
5、具有高度的责任心、很强的团队意识、创新意识，具有良好的抗压能力、学习能力、沟通能力和表达能力。
6、诚实正直，善于思考，做事严谨，勇于承担责任。
职能类别：规划与设计
Copyright @ 2018-2023 All Rights Reserved 版权所有 江苏华英汇人力资源开发股份有限公司 苏ICP备17056320号-4
地址： EMAIL：29059245@qq.com
